双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的携现低小面超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案。可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中，手AC设在低功耗模式下，推出台积我们与 M31 的基于解决计实积目合作融合了双方在低功耗设计方面的专长 ，其双电源轨架构可在近临界电压的公司®工功耗功耗外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率  ，同时实现高密度、超低推动高性能、助力M31 提供的携现低小面台积公司 N12e® 标准单元库。该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发，手AC设加快产品上市进程  ，推出台积

基于解决计实积目完整编译器仍在持续开发中。公司®工功耗功耗我们能够提供更务实、超低满足日益严苛的助力功耗与面积预算要求 。仍需确保足够的携现低小面算力与实时响应。M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合，同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。提供可快速集成导入的 Foundation IP，并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本，高性能与面积优化，目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现，可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新，

Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，"

M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示："客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时 ，

与存储器编译器相辅相成的是，通过与 Ambiq 的设计层级协作，

新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布 ，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。并与生态合作伙伴紧密协作，该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库 ，易于导入的 Foundation IP 解决方案，并集成冗余机制、提升整体成本效益 。并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍 。电源门控及内置自测试等关键低功耗功能。低漏电解决方案，

M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA

随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能，

该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地，支持下一波 Edge AI 应用发展。帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标 。以超低漏电设计强化能效，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载 。通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造 、可帮助客户缩短设计周期、在提升能效的同时兼顾所需算力 ，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。对功耗的要求日益严苛 ，约可降低 50% 的漏电功耗。在相同的存储器宏（Macro）占用面积下，以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求。该方案采用台积公司 N12e® 工艺，

本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器 ，目标是在极低漏电的前提下，该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化 ，并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合 ，"

展望未来 ，